作者：王文武 字数：24.4万字 出版社：电子工业出版社

目前，集成电路器件特征尺寸越来越接近物理极限，集成电路技术已朝着三维集成、提升性能/功耗比的新技术路线发展。本书立足于全球集成电路技术发展的趋势和技术路线，结合中国科学院微电子研究所积累的研究开发经验，系统介绍了三维集成电路制造工艺、FinFET和纳米环栅器件、三维NAND闪存、新型存储器件、三维单片集成、三维封装等关键核心技术。本书注重技术的前瞻性和内容的实用性，可供集成电路制造领域的科研人员和工程技术人员阅读使用，也可作为高等学校相关专业的教学用书。

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