作者：潘桂忠 字数：21.4万字 出版社：电子工业出版社

本书从CMOS芯片结构技术出发，系统地介绍了微米、亚微米、深亚微米及纳米CMOS制造技术，内容包括单阱 CMOS、双阱CMOS、LV/HV 兼容 CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS，以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件、制造技术及主要参数所组成的综合表，从芯片结构出发，利用计算机和它所提供的软件，描绘出芯片制造的各工序剖面结构，从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构，介绍了各种典型制造技术，并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构，对于电路设计、芯片制造、良率提升、产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。

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