作者：高远、陈桥梁 字数：13.6万字 出版社：机械工业出版社

本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiCMOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di、dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv、dt的影响与应对——crosstalk，高dv、dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。

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